膜结构充电桩系统中存储电路的设置

　　据悉，膜结构充电桩充电系统中存储模块有两个部分，一个存储芯片是FM24CLO4B，存储直流充电桩系统本身的一些重要参数;另一个存储芯片是大容量的AT45DB161DTU，存储充电交易记录中的历史数据。

　　为了保障充电桩系统重要参数存储的牢靠性，防止出现数据的丢失或者误操作，有膜结构系统设计时放弃使用MCU内部EEPROM，采用了优良的数据存储电路。存储器采用铁电存储器FM24CLO4B，芯片通过IC串行扩展总线与MCU进行数据通信，SCL提供时钟，SDA进行数据输送，采用全双工模式进行数据交换。芯片为非易失性铁电随机串行存储器，内部具有512字节大小的存储空间，读写次数达100亿次，掉电数据能保存10年，总线速度可以达到1MHz，而且写数据无延时。该膜结构充电桩系统的工作电压为3.3V，工作电流为150uA，采用8脚的SOIC封装。

　　为了防止在充电桩系统运行或者上电过程中出现对该芯片的误写入，系统对其采用了可控的供电方式，即当MCU工作稳定且需要读写数据时才对芯片进行上电。为了存储充电交易，记录历史测量数据，系统选用大容量存储器AT45DB161DTU。该存储器使用模拟SPI（串行外设接口）进行数据读写。芯片是采用串行接口进行数据交换的闪存，供电电压低，适合应用于数字，图像，软件程序等文件的存储。其内存空间分为8192页，每页可以存储512个字节大小的数据。

　　膜结构充电桩系统中的芯片支持快速串行接口，可以进行速度较高的读写操作。快速串行接口可兼容SPI数据交换格式，较高工作频率为66Hz，采用28脚的SOIC封装。